خانه / مهندسی برق و الکترونیک / سایر موضوعات مهندسی برق و الکترونیک / دانلود مقاله isi ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید
دانلود مقاله isi ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید

دانلود مقاله isi ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید

عنوان فارسي مقاله :: دانلود مقاله isi ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید

عنوان انگليسي مقاله :: New CMOS inverter-based voltage multipliers

  • تعداد صفحه مقاله انگليسي ISI ::
  • تعداد صفحه مقاله فارسي ISI ::
  • کد مقاله ISI ::
4 صحفه PDF
13 صحفه WORD
53002

فهرست مطالب ترجمه فارسي مقاله isi ::

فهرست مطالب ترجمه فارسي مقاله isi ::

چکیده
مقدمه
یکسوساز تک مرحله ای با ولتاژ مثبت پیشنهاد شده
شکل ۱٫ یکسوساز تک مرحله ای با ولتاژ مثبت (a) مدار (b) دیاگرام بلوکی
شکل ۲٫ عملکرد یکسوساز تک-مرحله ای با ولتاژ مثبت (a) نیم سیکل مثبت (b) نیم سیکل منفی (c) شکل موج های ورودی/خروجی
شکل ۳٫ مدل یکسوساز تکفاز تک-مرحله ای با ولتاژ مثبت (a) نیم سیکل مثبت (b) نیم سیکل منفی
یکسوسازهای پمپ شارژ با ولتاژ مثبت ارایه شده
شکل ۴٫ یکسوساز پمپ شارژ سه-مرحله ای با ولتاژ مثبت ارایه شده
شکل ۵٫ یکسوساز پمپ شارژ ۵-مرحله ای با ولتاژ مثبت پیشنهاد شده، (a) نوع ۱ (b) نوع ۲ (c) نوع ۳ (d) نوع ۴
نتایج آزمایش
شکل ۶٫ تصویر برشی یکسوسازهای پمپ شارژ با ولتاژ مثبت
شکل ۷٫ ولتاژ خروجی اندازه گیری شده در مقابل توان ورودی یکسوسازهای پمپ شارژ پنج-مرحله ای با ولتاژ مثبت نوع ۱ تا ۴ با ورودی موج مربعی
شکل ۸٫ ولتاژ خروجی اندازه گیری شده در مقابل توان ورودی یکسوسازهای پمپ شارژ پنج-مرحله ای با ولتاژ مثبت نوع ۱ تا ۴ به ازای موج سینوسی ورودی
شکل ۹٫ بازده ی اندازه گیری شده در مقابل توان ورودی یکسوسازهای پمپ شارژ پنج-مرحله ای با ولتاژ مثبت نوع ۱ تا ۴ با ورودی موج مربعی
نتیجه گیری
شکل ۱۰٫ بازده اندازه گیری شده در مقابل توان ورودی یکسوسازهای پمپ شارژ پنج-مرحله ای با ولتاژ مثبت نوع ۱ تا ۴ به ازای موج سینوسی ورودی

ترجمه چکيده مقاله ISI ::

ترجمه چکيده مقاله ISI ::

چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهای عبور PMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارایه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده ی تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC 0.35μm CMOS 2P4M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها ۱٫۷۵×۱٫۳۲ mm2 می باشد.

دانلود مقاله isi ضرب کننده ولتاژ مبنی بر اینورتر CMOS جدید

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *