خانه / مهندسی برق و الکترونیک / سایر موضوعات مهندسی برق و الکترونیک / دانلود مقاله isi تقویت‌کننده‌های ولتاژ پایین بهره بالا با بار خازنی بزرگ در فناوری CMOS با اندازۀ ۹۰ نانومتری
دانلود مقاله isi تقویت‌کننده‌های ولتاژ پایین بهره بالا با بار خازنی بزرگ در فناوری CMOS با اندازۀ 90 نانومتری

دانلود مقاله isi تقویت‌کننده‌های ولتاژ پایین بهره بالا با بار خازنی بزرگ در فناوری CMOS با اندازۀ ۹۰ نانومتری

عنوان فارسي مقاله :: دانلود مقاله isi تقویت‌کننده‌های ولتاژ پایین بهره بالا با بار خازنی بزرگ در فناوری CMOS با اندازۀ ۹۰ نانومتری

عنوان انگليسي مقاله :: Low voltage high gain large capacitive load amplifiers in 90 nm CMOS technology

  • تعداد صفحه مقاله انگليسي ISI ::
  • تعداد صفحه مقاله فارسي ISI ::
  • کد مقاله ISI ::
6 صحفه PDF
15 صحفه WORD
52861

فهرست مطالب ترجمه فارسي مقاله isi ::

فهرست مطالب ترجمه فارسي مقاله isi ::

چکیده
کلیدواژه‌ها
۱٫مقدمه
۲٫ ساختارهای تقویت‌کننده‌های ارائه شده
شکل۱٫ تقویت‌کننده‌های بهره پایین امپدانس پایین برای مراحل واسط.
شکل۲٫ دیاگرام بلوکی تقویت‌کنندۀ ارائه شده با تک‌خازن میلر و مسیرهای پیشخورد (SMF).
شکل۳٫ دیاگرام بلوکی تقویت‌کنندۀ با بار سنگین ارائه شده با پسخورد فعال میلر (AMF).
۳٫پاسخ AC و شرایط پایداری
شکل۴٫ دیاگرام توزیع‌های صفر و قطب هدف برای (الف) قطب‌های مختلط و (ب) قطب‌های حقیقی.
۴٫ پیاده‌سازی مداری تقویت‌کننده‌ها
شکل۵٫ پیاده‌سازی مداری تقویت‌کننده‌های ارائه شده.
شکل۶٫ طرح‌های تقویت‌کننده‌های محقق شده: (الف) SMF و (ب) AMF.
۵٫ نتایج شبیه‌سازی و کاربردها
جدول یک : پارامتری داری و اندازه‌های تجهیز به کار رفته در شبیه‌سازی‌ها
شکل۹٫ نتایج تحلیل مونت کارلو برای حاصلضرب بهره در پهنای باند و حاشیه فاز.
جدول ۲ : خلاصۀ عملکرد شبیه‌سازی.
جدول ۳ : مقایسۀ تقویت‌کننده‌های مختلف چندمرحله‌ای.
شکل۷٫ نتایج شبیه‌سازی برای پاسخ فرکانسی حلقه باز: (الف) SMf (CL = 150 pF) و (ب) AMF (CL=15nF)
شکل۸٫ پاسخ گذرای شبیه‌سازی.
شکل۹٫ فیلتر مرتبه اول با استفاده از تقویت‌کنندۀ SMF.
شکل۱۱٫ پاسخ دامنۀ فیلتر.
شکل۱۲٫ IP3 مربوط به فیلتر.
نتیجه‌گیری

ترجمه چکيده مقاله ISI ::

ترجمه چکيده مقاله ISI ::

در این مقاله تقویت‌کننده‌های عملیاتی نوع هدایت انتقالی چندمرحله‌ای ولتاژ پایین و توان پایین با تقویت بهرۀ موثر و جدید و طرح‌های جبرانسازی فرکانس ارائه می‌شود. تقویت‌کننده‌های نامبرده به منظور راه‌اندازی (درایو) بارهای خازنی بزرگ با مصرف کم توان در منابع تغذیۀ ولتاژ پایین طراحی شده‌اند. طرح‌های جبرانسازی از یک تک خازن میلر بهره برده و دارای یک پسخورد فعال جهت تشکیل حلقه‌های اصلی پسخورد منفی برای تقسیم قطب و دو مسیر پسخورد هستند. تکنیک جدید تقویت بهره که در اینجا بحث می‌شود با داشتن اثر ناچیز روی پاسخ فرکانسی موجب بهبود بهرۀ dc می‌شود. رویه‌های تحلیل و طراحی بحث شده و ارتقاء عملکرد این تقویت‌کننده‌ها به تایید می‌رسد. تقویت‌کننده‌های عملیاتی نوع هدایت انتقالی در یک فرایند CMOS با اندازۀ استاندارد ۹۰ نانومتری پیاده‌سازی شده و نتایج شبیه‌سازی پُست لِی‌اوت گزارش می‌شود. این تقویت‌کننده‌ها در تغذیۀ ۵/۰ ولت، مصرف توانِ ۷/۸ میکرووات و ۱/۸ میکرووات دارند و موقع راه‌اندازی (درایو کردن) بارهای خازنی ۱۵۰ پیکوفاراد و ۱۵ نانوفاراد به ترتیب حاصلضرب بهره در پهنای باند برابر ۶۵/۱۲ مگاهرتز و ۲ مگاهرتز را بدست می‌آورند.

دانلود مقاله isi تقویت‌کننده‌های ولتاژ پایین بهره بالا با بار خازنی بزرگ در فناوری CMOS با اندازۀ ۹۰ نانومتری

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *